买卖IC网 >> 产品目录 >> SQJ912EP-T1-GE3 MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SQJ912EP-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive
SQJ912EP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 40 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.014 Ohms at 10 V
配置 Dual
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8L
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SQJ912EP-T1-GE3
SQJ940EP-T1-GE3
SQJ941EP-T1-GE3
SQJ951EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1-GE3
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  • SQJ912EP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,000 0.832 1664
    3,000 0.798 2394
    6,000 0.762 4572
    12,000 0.746 8952